Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
TSM60NB600CF C0G
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM60NB600CF C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole ITO-220S
Inventář:
31 Ks Nový Originál Skladem
12897655
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM60NB600CF C0G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
528 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
41.7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ITO-220S
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
TSM60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
TSM60NB600CF C0G
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TSM60NB600CF C0G-DG
TSM60NB600CFC0G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TSM60NB600CF
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM60NB600CF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.66
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
STF13N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1058
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF13N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.65
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF13N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
862
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF13N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF11N60M2-EP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
998
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF11N60M2-EP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.67
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF11NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
991
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF11NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.81
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
DMTH6016LFDFW-7
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
TSM033NA04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
TSM900N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN